欢迎来电咨询订购,公司竭诚为您服务!
0551-65385002 合肥市蜀山区仰桥路87号3栋1楼
合肥合瑞达光电材料有限公司-LOGO
Home / 晶体产品 / 功能晶体 / 半导体晶体

功能晶体

Home / 晶体产品 / 功能晶体 / 半导体晶体 / 砷化镓(GaAs)
砷化镓(GaAs)

功能晶体

主要性能参数

单晶

掺杂

导电类型

载流子浓度cm-3

位错密度cm-2

生长方法

标准基片(mm

GaAs

Si

N

>5×1017

<5×105

VGF(垂直梯度凝固法)

HB(垂直布里奇曼法)

Dia2″×0.35

Dia100×0.35

晶向

(100) 0°±0.5°

(100) 2°±0.5°off toward <111>A

(100)15°±0.5°off toward <111>A

尺寸(mm)

25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm

可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

表面粗糙度

Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告

抛光

单面或双面

包装

100级洁净袋,1000级超净室