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主要性能参数 | |||
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生长方法 |
提拉法 | ||
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晶体结构 |
立方 | ||
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晶格常数 |
a=5.65754 Å | ||
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密 度 |
5.323g/cm3 | ||
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熔点 |
937.4℃ | ||
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掺杂物质 |
不掺杂 |
掺Sb |
掺Ga |
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类型 |
/ |
N |
P |
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电阻率 |
＞35Ωcm |
0.01~10Ωcm |
0.01~10Ωcm |
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EPD |
＜4×103∕cm2 |
＜4×103∕cm2 |
＜4×103∕cm2 |
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尺寸 |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | ||
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Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片 | |||
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厚度 |
0.5mm，1.0mm | ||
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抛光 |
单面或双面 | ||
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晶向 |
<100>、<110>、<111>、±0.5º | ||
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晶面定向精度: |
±0.5° | ||
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边缘定向精度: |
2°（特殊要求可达1°以内） | ||
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斜切晶片 |
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 | ||
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Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） | ||
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包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 | ||